2020年9月16日，匠嶺獲得數(shù)千萬(wàn)人民幣的A輪融資，投資方為深圳高新投、正軒投資、鵬瑞集團(tuán)。

　　匠嶺半導(dǎo)體成立于2018年，主要從事半導(dǎo)體光學(xué)量測(cè)和檢測(cè)裝備的研發(fā)、制造和銷售，主要產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體薄膜和光學(xué)線寬量測(cè)機(jī)臺(tái)、半導(dǎo)體Micro-Bump三維檢測(cè)機(jī)臺(tái)和半導(dǎo)體宏觀缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)等。
　
　　芯片制造需要經(jīng)歷前道圓晶制造和后道封裝測(cè)試兩大環(huán)節(jié)、數(shù)百道工序。而檢測(cè)是貫穿制造全過(guò)程的重要環(huán)節(jié)，也是保證芯片生產(chǎn)良品率的關(guān)鍵。其中，芯片生產(chǎn)過(guò)程的薄膜厚度、薄膜反射率、關(guān)鍵尺?、套刻精度、晶圓形貌、膜層應(yīng)?的測(cè)量以及晶圓表面雜質(zhì)顆粒、沾污、機(jī)械劃傷、圖案缺陷等問(wèn)題的檢測(cè)都需要用到光學(xué)檢測(cè)。
　
　　而針對(duì)不同膜層結(jié)構(gòu)、不同工藝方法、不同缺陷類型的檢測(cè)需要使用不同的技術(shù)和不同產(chǎn)品，全面的產(chǎn)品布局尤為重要。匠嶺半導(dǎo)體正是聚焦于此，其產(chǎn)品布局貫穿前道和后道工序。其中，應(yīng)用于光刻和CMP工藝的薄膜量測(cè)機(jī)臺(tái)、以及應(yīng)用于光刻工藝、先進(jìn)封裝和Micro-LED的多款光學(xué)量測(cè)與檢測(cè)產(chǎn)品都已經(jīng)獲得了正式訂單和部分重復(fù)訂單，其余多款產(chǎn)品均完成了核心技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

　　芯片制造工藝發(fā)展到28納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)面臨著諸多挑戰(zhàn)，但一項(xiàng)通常被忽視的技術(shù)變得異常困難，卻又對(duì)工藝控制尤為重要，這就是半導(dǎo)體光學(xué)量測(cè)與檢測(cè)技術(shù)。
　
　　在14納米和10納米以下的芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)，需要采用更小尺寸的三維FinFETs場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它有各種各樣復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和而難以量測(cè)的薄膜，并與混入的新材料緊密集成在一起，結(jié)構(gòu)尺寸常常小到10埃 (1納米)，對(duì)微觀量測(cè)技術(shù)提出了更高的挑戰(zhàn)。
　
　　匠嶺半導(dǎo)體從事半導(dǎo)體光學(xué)量測(cè)和檢測(cè)裝備的研發(fā)、制造和銷售； 主要產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體光學(xué)薄膜量測(cè)機(jī)臺(tái)、半導(dǎo)體光學(xué)線寬量測(cè)機(jī)臺(tái)，半導(dǎo)體光學(xué)缺陷檢測(cè)機(jī)臺(tái)等；
　
　　公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)實(shí)力雄厚，60%以上具有博士及碩士學(xué)位，注重核心技術(shù)自主研發(fā)的同時(shí)，積極布局全球化技術(shù)合作和市場(chǎng)開(kāi)發(fā)，已在多個(gè)光學(xué)量測(cè)與檢測(cè)領(lǐng)域獲得技術(shù)突破，并獲得來(lái)自國(guó)內(nèi)外多家客戶的正式訂單。